BCW66HTA DIODES
Symbol Micros:
TBCW66HTA Diodes
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 630; 310mW, 45V; 800mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 310mW |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 310mW |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |