BCW66KF

Symbol Micros: TBCW66kf
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 500mW; 45V; 800mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66KFE6327HTSA1; BCW66KFE6327;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: Infineon Technologies
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW 66KF E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8970 0,4260 0,2400 0,1820 0,1630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 500mW
Producent: Infineon Technologies
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta