BCW66KG

Symbol Micros: TBCW66kg
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 400; 500mW; 45V; 800mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66KGE6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 500mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW66KGE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1501
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW66KGE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1329
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 500mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN