BCW68G
Symbol Micros:
TBCW68g
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 400; 330mW; 45V; 800mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW68GLT3G; BCW68GLT1G; BCW68GE6327HTSA1; BCW68GE6327; BCW68G E6327 SP000015039;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 330mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BCW68G JSMICRO
Tranzystor PNP; 400; 330mW; 45V; 800mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW68GLT1G; BCW68GLT3G; BCW68GE6327HTSA1; BCW68G-TP;
Producent:
JSMSEMI
Symbol producenta:
BCW68G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4490 | 0,1770 | 0,1030 | 0,0755 | 0,0690 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)