BCW68GLT1G
Symbol Micros:
TBCW68g ONS
Obudowa: SOT23
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R BCW68GLT3G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ONSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BCW68GLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0670 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BCW68GLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0656 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: BCW68GLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0689 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ONSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |