BCX17LT1G
Symbol Micros:
TBCX17
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX17,215; BCX17,235; BCX17LT1G; BCX17.215;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCX17LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5780 | 0,2650 | 0,1440 | 0,1080 | 0,0964 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCX17LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0964 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCX17LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0964 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |