BCX41QTA
Symbol Micros:
TBCX41QTA Diodes
Obudowa: SOT23
Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 350mW; SOT23
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 63 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 125V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX41QTA RoHS EK.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 150+ | 700+ | 2800+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5180 | 0,3680 | 0,3200 | 0,3050 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX41QTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3050 |
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 63 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 125V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |