BCX41QTA

Symbol Micros: TBCX41QTA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 350mW; SOT23
Parametry
Moc strat: 350mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 63
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 125V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCX41QTA RoHS EK. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
630 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5810 0,3860 0,3220 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCX41QTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5810 0,3860 0,3220 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 350mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 63
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 125V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta