BCX41QTA

Symbol Micros: TBCX41QTA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
Parametry
Moc strat: 350mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 63
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 125V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCX41QTA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2448
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 350mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 63
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 125V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN