BCX42E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCX42

26432

TBCX42

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: SOT23

karta katalogowa

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Tranzystor PNP; 63; 330mW; 125V; 800mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; INFINEON LTB:31-DEC-2023; Odpowiednik: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1; BCX42E6327; BCX42E6327HTSA1; SP000010900; BCX42E6327;

Odpowiedniki

Parametry

Moc strat:	330mW
Producent:	Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	63
Częstotliwość graniczna:	150MHz
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	125V

Wszystkie parametry

Producent: Infineon Symbol producenta: BCX42E6327HTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

10555 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	1,0500	0,5790	0,3850	0,3210	0,2990

Dodaj do porównywarki Dodaj zapytanie

Sposób pakowania:
3000 Ilość (wielokrotność: 1)

- +

Producent: Infineon Symbol producenta: BCX42E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  

Magazyn zewnetrzny:

3000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2990

Dodaj do porównywarki Dodaj zapytanie

Sposób pakowania:
3000

Złóż zamówienie

Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.

Producent: Infineon Symbol producenta: BCX42E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  

Magazyn zewnetrzny:

93000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2990

Dodaj do porównywarki Dodaj zapytanie

Sposób pakowania:
3000

Złóż zamówienie

Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.

Producent: Infineon Symbol producenta: BCX42E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  

Magazyn zewnetrzny:

4700 szt.

ilość szt.	100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2990

Dodaj do porównywarki Dodaj zapytanie

Sposób pakowania:
100

Złóż zamówienie

Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.

• Parametry

Moc strat:	330mW
Producent:	Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	63
Częstotliwość graniczna:	150MHz
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	125V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP

Odpowiedniki

BCX42 JSMICRO Tranzystor PNP; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1;

Symbol Micros: TBCX42 JSM Info rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki

Producent:

JSMicro Semiconductor

Symbol producenta:

BCX42 RoHS

Obudowa dokładna:

SOT23t/r

Stan magazynowy

3000 szt.

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5940	0,2720	0,1480	0,1110	0,0990

Dodaj do porównywarki

Dodaj zapytanie

Sposób pakowania: 3000

Ilość (wielokrotność 1)

- +

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.