BCX51 JGSEMI
Symbol Micros:
TBCX51 JGS
Obudowa: SOT89
Tranzystor PNP; 250; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX51,115; BCX51E6327HTSA1; BCX51H6327XTSA1; BCX51TA; BCX51-TP;
Parametry
| Moc strat: | 1,3W |
| Producent: | JGSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 1,3W |
| Producent: | JGSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BCX51,115
Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 45V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX51E6327HTSA1; BCX51H6327XTSA1; BCX51TA; BCX51,115;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BCX51,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
Stan magazynowy
700 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,5500 | 1,6200 | 1,2800 | 1,1600 | 1,1100 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)