BCX51-10 SOT89 LGE
Symbol Micros:
TBCX5110 LGE
Obudowa: SOT89
Tranzystor PNP; 160; 500mW, 45V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C; Podobny do : BCX51-10-LGE;
Parametry
| Moc strat: | 500mW |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | SOT89 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 500mW |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | SOT89 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |