BCX52 SOT89 RealChip

Symbol Micros: TBCX52 REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 60V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1,3W
Producent: RealChip
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: REALCHIP Symbol producenta: BCX52 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7700 0,3080 0,1790 0,1490 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,3W
Producent: RealChip
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta