BCX53-16

Symbol Micros: TBCX5316
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX53-16-DIO; BCX5316E6327; BCX5316E6327HTSA1; BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: LGE
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BCX53-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8580 0,3430 0,2000 0,1660 0,1560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-11-30
Ilość szt.: 3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-11-14
Ilość szt.: 1000
Moc strat: 500mW
Producent: LGE
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta