BCX5316H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBCX5316 INF
Obudowa: SOT89
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | INFINEON |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Obudowa: | SOT89 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCX5316H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4240 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCX5316H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4156 |
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | INFINEON |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Obudowa: | SOT89 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |