BCX55 SOT89 HT SEMI

Symbol Micros: TBCX55 HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 250; 500mW; 60V; 1A; 130MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX55,115; BCX55E6327HTSA1; BCX55H6327XTSA1; BCX55TA; BCX55.115; BCX55,135; BCX55.135;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: HT
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 500mW
Producent: HT
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN