BCX55-10,115
Symbol Micros:
TBCX5510
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 160; 1,35W; 60V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX55-10,115; BCX5510TA; BCX55-10-TP;
Parametry
Moc strat: | 1,35W |
Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
Producent: | NXP |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
Obudowa: | SOT89 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BCX55-10,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
21286 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5730 | 0,3760 | 0,3240 | 0,2990 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCX55-10,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2990 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5510TA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2990 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCX55-10,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
494000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2990 |
Moc strat: | 1,35W |
Częstotliwość graniczna: | 180MHz |
Producent: | NXP |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
Obudowa: | SOT89 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |