BCX55-10,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TBCX5510
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 160; 1,35W; 60V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX55-10,115; BCX5510TA; BCX55-10-TP;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: NXP Symbol producenta: BCX55-10,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
7386 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6900 0,9320 0,7330 0,6790 0,6510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta