BCX5516TA

Symbol Micros: TBCX5516TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1W Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX5516TA; BCX5516TC;
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 1W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN