BCX56

Symbol Micros: TBCX56 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor: NPN; bipolarny; 250; 80V; 1A; 100MHz; 1W; -65°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: import Symbol producenta: BCX 56 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r  
Stan magazynowy:
309 szt.
ilość szt. 5+ 10+ 30+ 100+ 309+
cena netto (PLN) 0,8140 0,5360 0,3030 0,1920 0,1480
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
309
Moc strat: 1W
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta