BCX56-16 SOT89 HT SEMI

Symbol Micros: TBCX5616 HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
500mW 80V 1A NPN SOT-89 Single Bipolar Transistors RoHS
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: HT
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 500mW
Producent: HT
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN