BCX5616QTA
Symbol Micros:
TBCX5616QTA Diodes
Obudowa: SOT89
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX5616QTC
Parametry
| Moc strat: | 1W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5616QTA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
101000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2055 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5616QTC
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2055 |
| Moc strat: | 1W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |