BCX5616TA
Symbol Micros:
TBCX5616TA Diodes
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX5616TC;
Parametry
Moc strat: | 2W |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Obudowa: | SOT89 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5616TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
58 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0100 | 0,5530 | 0,3630 | 0,3130 | 0,2890 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5616TC
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2890 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5616TA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
101000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2890 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5616TA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
207000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2890 |
Moc strat: | 2W |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Obudowa: | SOT89 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |