BD135-16

Symbol Micros: TBD13516 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 250; 8W; 45V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do : BD135-16-CDI;
Parametry
Moc strat: 8W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Producent: NXP
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BD135-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9860 0,4980 0,3000 0,2370 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-08-10
Ilość szt.: 1000
Moc strat: 8W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Producent: NXP
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN