BD135-16

Symbol Micros: TBD13516 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 8W; 45V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do : BD135-16-CDI; TBD135.16; BD135.16;
Parametry
Moc strat: 8W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BD135-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8750 0,4830 0,3190 0,2660 0,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500/2000
Producent: LGE Symbol producenta: BD135-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8750 0,4830 0,3190 0,2660 0,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500/2000
Moc strat: 8W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta