BD138

Symbol Micros: TBD138
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 250; 8W; 60V; 1,5A; 160MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD137;
Parametry
Moc strat: 8W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 160MHz
Producent: NXP
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: NXP Symbol producenta: BD138 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
6 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6110 0,4010 0,3620 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: CDIL Symbol producenta: BD138 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1000 0,6030 0,4580 0,3570 0,3150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Moc strat: 8W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 160MHz
Producent: NXP
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP