BD139

Symbol Micros: TBD139
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-ST;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BD139 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
960 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3700 0,8940 0,6410 0,5600 0,5250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Moc strat: 1,25W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN