BD140

Symbol Micros: TBD140
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140G; BD140-CDI; BD140-LGE;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BD140 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
697 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2900 0,8280 0,5840 0,4970 0,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/2000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD140G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
3500 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,5277
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD140 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
57150 szt.
ilość szt. 4150+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD140 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
67100 szt.
ilość szt. 1450+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 1,25W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP