BD237

Symbol Micros: TBD237 b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD237-ST; TBD237;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Producent: LGE
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BD237 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk  
Stan magazynowy:
950 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,6000 0,3970 0,3310 0,3110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500/1000
Producent: LGE Symbol producenta: BD237 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,6000 0,3970 0,3310 0,3110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 1,25W
Producent: LGE
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN