BD242C

Symbol Micros: TBD242c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP32C; BD244C; BD242CG; BD242C STM;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD242CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1600 3,0500 2,4500 2,1000 1,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Moc strat: 40W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP