BD242CG

Symbol Micros: TBD242c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP32C; BD244C; BD242CG; BD242C STM; BD242C;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD242CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 3,0400 1,9200 1,5100 1,3900 1,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Moc strat: 40W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP