BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 65W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD243CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
278 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 250+ 500+
cena netto (PLN) 4,4300 2,9500 2,2800 2,1400 2,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/750
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
119 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,8901
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2900 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,4502
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 65W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta