BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 65W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
6750 szt.
ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9621
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2566 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9001
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8566
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 65W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta