BD243CG TO220 ON

Name: TBD243cg ON TBD243cg ON
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBD243cgON
Price: 2.200000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD243cg ON

Obudowa: TO220

Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parametry

Moc strat:	65W
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	30
Obudowa:	TO220
Częstotliwość graniczna:	3MHz
Maksymalny prąd kolektora:	6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

1750 szt.

ilość szt.	1+	3+	10+	50+	200+
cena netto (PLN)	4,6200	3,3900	2,7200	2,3300	2,2000

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

6750 szt.

ilość szt.	250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,2000

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

1300 szt.

ilość szt.	300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,2000

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

2366 szt.

ilość szt.	300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,2000

Moc strat:	65W
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	30
Obudowa:	TO220
Częstotliwość graniczna:	3MHz
Maksymalny prąd kolektora:	6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	NPN

Ilość szt.	3+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	1,3500	0,8820	0,6320	0,5530	0,5180

Ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,4800	1,5000	1,1500	1,0400	0,9900