BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 65W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD243CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1124 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7500 3,1600 2,4400 2,3600 2,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,9709
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BD243CG Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2550 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,6221
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 65W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta