BD249C

Symbol Micros: TBD249c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO218
Tranzystor NPN; 25; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE392;
Parametry
Moc strat: 125W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Obudowa: TO218
Maksymalny prąd kolektora: 25A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: MIC Symbol producenta: BD249C RoHS Obudowa dokładna: TO218  
Stan magazynowy:
210 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,0800 3,3800 2,8000 2,5200 2,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100/500
Producent: ARK Symbol producenta: BD249C RoHS Obudowa dokładna: TO218  
Stan magazynowy:
2030 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,0800 3,3800 2,8000 2,5200 2,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100/500/2000
Moc strat: 125W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Obudowa: TO218
Maksymalny prąd kolektora: 25A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN