BD442
Symbol Micros:
TBD442
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442-VB;
Parametry
| Moc strat: | 1,25W |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
| Obudowa: | TO126 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BD442 RoHS
Obudowa dokładna: TO126
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5730 | 0,3760 | 0,3110 | 0,2990 |
| Moc strat: | 1,25W |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
| Obudowa: | TO126 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BD442 JSMICRO
Tranzystor PNP; 40; 1,25W, 80V; 4A; 3MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD442G; BD442STU; BD442-CDI; BD442-LGE;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BD442 RoHS
Obudowa dokładna:
TO126bulk
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2600 | 0,6930 | 0,4590 | 0,3820 | 0,3590 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)