BD678 STMicroelectronics

Symbol Micros: TBD678
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 750; 40W; 60V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD678-ST;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: TBD678 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP