BD679

Symbol Micros: TBD679
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C; BD 679;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BD679 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0300 1,2300 0,9460 0,8530 0,8120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta