BD679

Symbol Micros: TBD679
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BD679 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,3400 2,1100 1,6700 1,5200 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN