BD679

Symbol Micros: TBD679 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: LGE Symbol producenta: BD679 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
950 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6580 0,5120 0,4630 0,4480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN