BD679A

Symbol Micros: TBD679a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: import Symbol producenta: BD679A RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
483 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6460 0,5030 0,4550 0,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 40W
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN