BD679A

Symbol Micros: TBD679a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: import Symbol producenta: BD679A RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,2200 1,3400 1,0200 0,9210 0,8890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ST Symbol producenta: BD679A RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
148 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,2200 1,3400 1,0200 0,9210 0,8890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN