BD682

Symbol Micros: TBD682
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD682-CDI; TBD682; BD682-ST;
Parametry
Moc strat: 40W
Producent: CDIL
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: LGE Symbol producenta: BD682 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk  
Stan magazynowy:
470 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,8200 0,5750 0,4990 0,4670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ARK Symbol producenta: BD682 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
173 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,8200 0,5750 0,4990 0,4670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 40W
Producent: CDIL
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP