BD911 sgs
Symbol Micros:
TBD911sgs
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 90W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Moc strat: | 90W |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BD911
Tranzystor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; BD 911;
Producent:
CDIL
Symbol producenta:
BD911 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
630 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,8800 | 1,8200 | 1,4400 | 1,3100 | 1,2500 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
BD911 JSMICRO
Tranzystor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BD911 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
150 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6800 | 1,3200 | 1,2000 | 1,1500 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)