BDP948H6327XTSA1 INFINEON
Symbol Micros:
TBDP948
Obudowa: SOT223-4
Tranzystor PNP; 475; 5W; 45V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BDP948E6433HTMA1; BDP948H6433XTMA1; BDP 948 H6327 TR; BDP 948 H6433 TR; BDP948H6433XT;
Parametry
| Moc strat: | 5W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT223-4 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BDP948H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2901 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BDP948H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0831 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BDP948H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1405 |
| Moc strat: | 5W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT223-4 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |