BDP953H6327XTSA1

Symbol Micros: TBDP953
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R; Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
Parametry
Moc strat: 5W
Producent: INFINEON
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 15
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: Infineon Symbol producenta: BDP953H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 2,0400 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 5W
Producent: INFINEON
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 15
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN