BDW83C

Symbol Micros: TBDW83c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor NPN; 20000; 130W; 100V; 15A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 130W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Obudowa: TO 3P
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Producent: PMC-Sierra Symbol producenta: BDW83C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
67 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
cena netto (PLN) 7,9500 6,6500 5,8900 5,4700 5,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
120
Moc strat: 130W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Obudowa: TO 3P
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN