BDW83C
Symbol Micros:
TBDW83c
Obudowa: TO 3P
Tranzystor NPN; 20000; 130W; 100V; 15A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 130W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Obudowa: | TO 3P |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Producent: PMC-Sierra
Symbol producenta: BDW83C RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
57 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 40+ | 120+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9500 | 6,6500 | 5,8900 | 5,4700 | 5,3000 |
| Moc strat: | 130W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Obudowa: | TO 3P |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |