BDX33B

Symbol Micros: TBDX33b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 750; 2W; 80V; 10A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: Power Innovations
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: Power Innovations Symbol producenta: BDX33B Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 3+ 9+ 27+ 81+
cena netto (PLN) 1,7200 1,1000 0,8040 0,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
81
Moc strat: 2W
Producent: Power Innovations
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta