BDX54C

Symbol Micros: TBDX54c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 750; 60W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 60W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BDX54C RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
238 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4400 1,5400 1,2200 1,1000 1,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Moc strat: 60W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta