BF1202WR

Symbol Micros: TBF1202wr
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT343R
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 30mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT343R
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 10V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Producent: Philips Symbol producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R  
Stan magazynowy:
69 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 30+ 69+
cena netto (PLN) 1,4900 0,9150 0,6700 0,5730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
69
Maksymalny prąd drenu: 30mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT343R
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 10V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD