BF316A

Symbol Micros: TBF316a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 18
Tranzystor PNP; 50; 200mW; 35V; 20mA; 600MHz; -55°C ~ 200°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 600MHz
Obudowa: TO 18
Maksymalny prąd kolektora: 20mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 35V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Producent: TM Symbol producenta: BF316A Obudowa dokładna: TO 18  
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 10+ 30+ 100+ 345+
cena netto (PLN) 0,9000 0,6140 0,3700 0,2510 0,2000
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
345
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 600MHz
Obudowa: TO 18
Maksymalny prąd kolektora: 20mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 35V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Typ tranzystora: PNP