BFG403W

Symbol Micros: TBFG403w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT343
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 120; 16mW; 4,5V; 3,6mA; 17GHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 16mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT343
Częstotliwość graniczna: 17GHz
Maksymalny prąd kolektora: 3,6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Producent: NXP Symbol producenta: BFG403W RoHS Obudowa dokładna: SOT343 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1900 0,7600 0,5330 0,4630 0,4330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 16mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT343
Częstotliwość graniczna: 17GHz
Maksymalny prąd kolektora: 3,6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta