BFG480W

Symbol Micros: TBFG480w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT343
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 100; 360mW; 4,5V; 250mA; 21GHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 360mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Częstotliwość graniczna: 21GHz
Obudowa: SOT343
Maksymalny prąd kolektora: 250mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Producent: NXP Symbol producenta: BFG480W RoHS Obudowa dokładna: SOT343 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2400 1,8600 1,6500 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 360mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Częstotliwość graniczna: 21GHz
Obudowa: SOT343
Maksymalny prąd kolektora: 250mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta