BFP193E

Symbol Micros: TBFP193
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT143
Tranzystor NPN; 140; 580mW, 12V; 80mA; 8GHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFP193E6327; BFP193E6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 580mW
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT143
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Maksymalny prąd kolektora: 80mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 580mW
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT143
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Maksymalny prąd kolektora: 80mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN