BFP193WH6327

Symbol Micros: TBFP193W
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT343
NPN 12V 0.08A 0.58W 8GHz BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327
Parametry
Moc strat: 580mW
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT343
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Maksymalny prąd kolektora: 80mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Producent: Infineon Symbol producenta: BFP193WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343  
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3420
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 580mW
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT343
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Maksymalny prąd kolektora: 80mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN