BFR181WH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBFR181w
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; Bipolar; 140; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327;
Parametry
| Moc strat: | 175W |
| Częstotliwość graniczna: | 8GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR181WH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0100 | 0,5580 | 0,3710 | 0,3090 | 0,2880 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR181WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2880 |
| Moc strat: | 175W |
| Częstotliwość graniczna: | 8GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |