BFR93AWH6327XTSA1

Symbol Micros: TBFR93aw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFR93AWH6327XTSA1; BFR93AW,135; BFR93AW,115; BFR93AWE6327XT; BFR93AW135; BFR93AW,115; BFR93AW;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Częstotliwość graniczna: 6GHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 90mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR93AWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9720 0,4930 0,2990 0,2370 0,2160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR93AWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2162
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR93AWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-30
Ilość szt.: 3000
Moc strat: 300mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Częstotliwość graniczna: 6GHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 90mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN