BFS17NTA
Symbol Micros:
TBFS17NTA Diodes
Obudowa: SOT23
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 180 |
| Częstotliwość graniczna: | 3,2GHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 11V |
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 180 |
| Częstotliwość graniczna: | 3,2GHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 11V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BFS17NTA JGSEMI
Tranzystor NPN; 400; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFS17NTA Diodes
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
BFS17NTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9070 | 0,5020 | 0,3330 | 0,2780 | 0,2590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)