BFU530AR

Symbol Micros: TBFU530ar
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO236-3 AB =>SOT23-3
Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 200; 450mW; 16V; 65mA; 11GHz; -40°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 450mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: TO236-3 AB =>SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 11GHz
Maksymalny prąd kolektora: 65mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 16V
Producent: NXP Symbol producenta: BFU530AR RoHS Obudowa dokładna: TO236-3 AB =>SOT23-3 karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,6600 0,9180 0,7250 0,6580 0,6370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 450mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: TO236-3 AB =>SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 11GHz
Maksymalny prąd kolektora: 65mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 16V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta